功能描述：MOSFET N-CH 60V 12.8A LFPAK

制造商：nexperia usa inc.

系列：汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS?

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：12.8A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：4.4nC @ 5V

Vgs（最大值）：±10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：434pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：31W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：73 毫欧 @ 5A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：LFPAK33

封装/外壳：SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）

标准包装：1

BUK9MJT-55PRF,518

BUK9R4-40B

BUK9Y07-30B

BUK9Y07-30B,115

BUK9Y09-40B

BUK9Y09-40B,115

BUK9Y09-40B/C

BUK9Y104-100B

BUK9Y104-100B,115

BUK9Y107-80EX